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Autoren: Becker, Sven
Ross, Andrew
Lebrun, Romain
Baldrati, Lorenzo
Ding, Shilei
Schreiber, Felix
Maccherozzi, Francesco
Backes, Dirk
Kläui, Mathias
Jakob, Gerhard
Titel: Electrical detection of the spin reorientation transition in antiferromagnetic TmFeO3 thin films by spin Hall magnetoresistance
Online-Publikationsdatum: 17-Aug-2021
Sprache des Dokuments: Englisch
Zusammenfassung/Abstract: TmFeO3 (TFO) is a canted antiferromagnet that undergoes a spin reorientation transition (SRT) with temperature between 82 and 94 K in single crystals. In this temperature region, the Neel vector continuously rotates from the crystallographic c axis (below 82 K) to the a axis (above 94 K). The SRT allows for a temperature control of distinct antiferromagnetic states without the need for a magnetic field, making it apt for applications working at terahertz frequencies. For device applications, thin films of TFO are required as well as an electrical technique for read-out of the magnetic state. Here, we demonstrate that orthorhombic TFO thin films can be grown by pulsed laser deposition and the detection of the SRT in TFO thin films can be accessed by making use of the all-electrical spin Hall magnetoresistance, in good agreement for the temperature range where the SRT occurs in bulk crystals. Our results demonstrate that one can electrically detect the SRT in insulators.
DDC-Sachgruppe: 530 Physik
530 Physics
Veröffentlichende Institution: Johannes Gutenberg-Universität Mainz
Organisationseinheit: FB 08 Physik, Mathematik u. Informatik
Veröffentlichungsort: Mainz
DOI: http://doi.org/10.25358/openscience-5688
Version: Accepted version
Publikationstyp: Zeitschriftenaufsatz
Weitere Angaben zur Dokumentart: Scientific article
Nutzungsrechte: in Copyright
Informationen zu den Nutzungsrechten: http://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/
Zeitschrift: Physical review : B
103
2
Seitenzahl oder Artikelnummer: 024423
Verlag: APS
Verlagsort: Ridge, NY
Erscheinungsdatum: 2021
ISSN: 2469-9950
URL der Originalveröffentlichung: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.103.024423
DOI der Originalveröffentlichung: 10.1103/PhysRevB.103.024423
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