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Autoren: Baldrati, Lorenzo
Ross, Andrew
Niizeki, T.
Schneider, Christoph
Ramos, R.
Cramer, Joel
Gomonay, Olena
Filianina, Mariia
Savchenko, T.
Heinze, Daniel
Kleibert, A.
Saitoh, E.
Sinova, Jairo
Kläui, Mathias
Titel: Full angular dependence of the spin Hall and ordinary magnetoresistance in epitaxial antiferromagnetic NiO(001)/Pt thin films
Online-Publikationsdatum: 20-Aug-2019
Erscheinungsdatum: 2018
Sprache des Dokuments: Englisch
Zusammenfassung/Abstract: We report the observation of the three-dimensional angular dependence of the spin Hall magnetoresistance (SMR) in a bilayer of the epitaxial antiferromagnetic insulator NiO(001) and the heavy metal Pt, without any ferromagnetic element. The detected angular-dependent longitudinal and transverse magnetoresistances are measured by rotating the sample in magnetic fields up to 11 T, along three orthogonal planes (xy-, yz-, and xz-rotation planes, where the z axis is orthogonal to the sample plane). The total magnetoresistance has contributions arising from both the SMR and ordinary magnetoresistance. The onset of the SMR signal occurs between 1 and 3 T and no saturation is visible up to 11 T. The three-dimensional angular dependence of the SMR can be explained by a model considering the reversible field-induced redistribution of magnetostrictive antiferromagnetic S and T domains in the NiO(001), stemming from the competition between the Zeeman energy and the elastic clamping effect of the nonmagnetic MgO substrate. From the observed SMR ratio, we estimate the spin mixing conductance at the NiO/Pt interface to be greater than 2×1014Ω−1m−2. Our results demonstrate the possibility to electrically detect the Néel vector direction in stable NiO(001) thin films, for rotations in the xy and xz planes. Moreover, we show that a careful subtraction of the ordinary magnetoresistance contribution is crucial to correctly estimate the amplitude of the SMR.
DDC-Sachgruppe: 530 Physik
530 Physics
Veröffentlichende Institution: Johannes Gutenberg-Universität Mainz
Organisationseinheit: FB 08 Physik, Mathematik u. Informatik
Veröffentlichungsort: Mainz
ROR: https://ror.org/023b0x485
DOI: http://doi.org/10.25358/openscience-194
URN: urn:nbn:de:hebis:77-publ-591884
Version: Accepted version
Publikationstyp: Zeitschriftenaufsatz
Nutzungsrechte: Urheberrechtsschutz
Informationen zu den Nutzungsrechten: https://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/
Zeitschrift: Physical review : B
98
2
Seitenzahl oder Artikelnummer: Art. 024422
Verlag: APS
Verlagsort: College Park, Md.
Erscheinungsdatum: 2018
ISSN: 2469-9969
1095-3795
URL der Originalveröffentlichung: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.98.024422
DOI der Originalveröffentlichung: 10.1103/PhysRevB.98.024422
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