Bitte benutzen Sie diese Kennung, um auf die Ressource zu verweisen: http://doi.org/10.25358/openscience-193
Autoren: Al Bahri, M.
Borie, Benjamin
Jin, T. L.
Sbiaa, R.
Kläui, Mathias
Piramanayagam, S. N.
Titel: Staggered magnetic nanowire devices for effective domain-wall pinning in racetrack memory
Online-Publikationsdatum: 20-Aug-2019
Erscheinungsdatum: 2019
Sprache des Dokuments: Englisch
Zusammenfassung/Abstract: Domain-wall memory devices, in which the information is stored in nanowires, are expected to replace hard disk drives. a problem that remains to be solved in domain-wall memory is to pin the domain walls in a controllable manner at the nanometer scale using simple fabrication. we demonstrate the possibility to stabilize domain walls by making staggered nanowires. controllable domain-wall movement is exhibited in permalloy nanowires using magnetic fields where the pinning field is about 10 mt. the pinning field and stability of the domain walls can be increased by adjusting the offset dimensions of the staggered nanowires. domain-wall velocities of about 200 m/s are computed for the experimentally used permalloy nanowires. domain-wall velocities are found to be independent of pinning strength and stability, providing a way to tune the pinning without compromising domain-wall velocities.
DDC-Sachgruppe: 530 Physik
530 Physics
Veröffentlichende Institution: Johannes Gutenberg-Universität Mainz
Organisationseinheit: FB 08 Physik, Mathematik u. Informatik
Veröffentlichungsort: Mainz
ROR: https://ror.org/023b0x485
DOI: http://doi.org/10.25358/openscience-193
URN: urn:nbn:de:hebis:77-publ-591872
Version: Accepted version
Publikationstyp: Zeitschriftenaufsatz
Nutzungsrechte: Urheberrechtsschutz
Informationen zu den Nutzungsrechten: https://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/
Zeitschrift: Physical review applied
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Seitenzahl oder Artikelnummer: Art. 024023
Verlag: American Physical Society
Verlagsort: College Park, Md.
Erscheinungsdatum: 2019
ISSN: 2331-7019
URL der Originalveröffentlichung: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevApplied.11.024023
DOI der Originalveröffentlichung: 10.1103/PhysRevApplied.11.024023
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