Untersuchungen an Halbleitermikro- und -nanokristallen mittels korrelativer Rasterkraft- und konfokaler Fluoreszenzmikroskopie
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Die Kombination von konfokaler Fluoreszenz- mit Rasterkraftmikroskopie bietet vielf
ältige Möglichkeiten zur Untersuchung und Charakterisierung von Halbleiterpartikeln.
Beide Methoden ergänzen sich und liefern als bildgebende Verfahren sehr unterschiedliche
Informationen. Darüber hinaus kann das Rasterkraftmikroskop zur nanoskopischen
Kraftausübung auf Probenpartikel verwendet werden.
In dieser Arbeit wurden drei verschiedene Sorten von Halbleiterpartikeln untersucht.
An CdSe-basierten Quantenpunkt-Aggregaten wurden Energietransfere zienzen
bestimmt, wobei die Kombination beider Mikroskopietechniken zur Unterscheidung
unterschiedlich zusammengesetzter Aggregate diente. Mittels axialer Kraftaus-
übung durch die Spitze des Rasterkraftmikroskops konnten die Energietransferraten
beein usst werden. Mit umfangreichen spektroskopischen Untersuchungen an quasi-
2-dimensionalen CdSe-basierten Nanoplättchen konnten verschiedene Ein üsse
auf die photophysikalischen Eigenschaften charakterisiert werden, darunter unterschiedliche
Anregungsintensitäten und -Arten. Auÿerdem wurde der Ein uss mechanischer
Kräfte auf die Photolumineszenz untersucht. Als dritte Sto klasse wurden
halbleitende MAPbI3-Partikel gezielt mechanisch beschädigt und der Ein uss auf
die Photolumineszenzeigenschaften untersucht. Dabei konnten neue Erkenntnisse über
sogenannte self-healing Prozesse der Photolumineszenz erlangt werden.