Autoren:	Meffert, Holger
Titel:	Re-Entrance-Phasenbildung und elektronische Eigenschaften epitaxialer Schichten des Kondo-Halbmetalls CeSb
Online-Publikationsdatum:	1-Jan-2000
Erscheinungsdatum:	2000
Sprache des Dokuments:	Deutsch
Zusammenfassung/Abstract:	Durch das Anlegen eines elektrischen Feldes an eine Feldeffektanordung kann die Anzahl der freien Ladungstraeger im Kanalmaterial direkt moduliert und der Einfluá auf die Transporteigenschaften und den damit zusammenhaengenden typischen Energieskalen untersucht werden. Mit der Konzeption und dem Aufbau einer Praeparationsapparatur, sowie der Etablierung eines Praeparationsprozesses zur Herstellung duenner epitaktischer Schichten des Kondo-Halbmetalls CeSb sollte im Rahmen dieser Arbeit der Grundstein fuer die Realisierung einer dazu notwendigen Feldeffektanordnung gelegt werden. Mit dem Verfahren der Molekularstrahlepitaxie konnten sowohl (100)- als auch (111)-orientierte phasenreine CeSb-Schichten hergestellt werden. In Abhaengigkeit der Sb-Verdampfertemperatur wurden fuer das Schichtwachstum auf Saphir (1120) zwei voneinander getrennte Bereiche der Phasenbildung gefunden, in denen jeweils die (111)- respektive die (100)-Wachstumsrichtung dominiert. Das beobachtete Re-Entrance-Verhalten beruht auf dem Einfluss der Sb-Tiegeltemperatur auf Verdampfungsrate und Strahlzusammensetzung. Durch die Verwendung von Saphir (0001)-Substraten konnte das Wachstum (111)-orientierter Schichten massgeblich verbessert werden. nDie Untersuchung der elektronischen Eigenschaften mittels Magnetotransportmessungen ergab eine weitreichende bereinstimmung mit den bekannten Einkristallergebnissen. In Uebereinstimmung mit den Ergebnissen der an der ETH Zuerich durchgefuehrten MOKE-Untersuchungen laesst sich aus den Hallmessungen auf eine Reduktion der freien Ladungstraeger in den duennen Schichten schliessen.
DDC-Sachgruppe:	530 Physik 530 Physics
Veröffentlichende Institution:	Johannes Gutenberg-Universität Mainz
Organisationseinheit:	FB 08 Physik, Mathematik u. Informatik
Veröffentlichungsort:	Mainz
ROR:	https://ror.org/023b0x485
DOI:	http://doi.org/10.25358/openscience-1406
URN:	urn:nbn:de:hebis:77-136
Version:	Original work
Publikationstyp:	Dissertation
Nutzungsrechte:	Urheberrechtsschutz
Informationen zu den Nutzungsrechten:	https://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/
Enthalten in den Sammlungen:	JGU-Publikationen