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Autoren: Schreiber, Felix
Meer, Hendrik
Schmitt, Christin
Ramos, Rafael
Saitoh, E.
Baldrati, Lorenzo
Kläui, Mathias
Titel: Magnetic sensitivity distribution of Hall devices in antiferromagnetic switching experiments
Online-Publikationsdatum: 4-Feb-2022
Sprache des Dokuments: Englisch
Zusammenfassung/Abstract: We analyze the complex impact of the local magnetic spin texture on the transverse Hall-type voltage in device structures utilized to measure magnetoresistance effects. We find a highly localized and asymmetric magnetic sensitivity in the eight-terminal geometries that are frequently used in current-induced switching experiments, for instance, to probe antiferromagnetic materials. Using current-induced switching of antiferromagnetic NiO/Pt as an example, we estimate the change in the spin Hall magnetoresistance signal associated with switching events based on the domain-switching patterns observed via direct imaging. This estimate correlates with the actual electrical data after subtraction of a nonmagnetic contribution. Here, the consistency of the correlation across three measurement geometries with fundamentally different switching patterns strongly indicates a magnetic origin of the measured and analyzed electrical signals.
DDC-Sachgruppe: 530 Physik
530 Physics
Veröffentlichende Institution: Johannes Gutenberg-Universität Mainz
Organisationseinheit: FB 08 Physik, Mathematik u. Informatik
Veröffentlichungsort: Mainz
ROR: https://ror.org/023b0x485
DOI: http://doi.org/10.25358/openscience-6737
Version: Accepted version
Publikationstyp: Zeitschriftenaufsatz
Weitere Angaben zur Dokumentart: Scientific article
Nutzungsrechte: Urheberrechtsschutz
Informationen zu den Nutzungsrechten: http://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/
Zeitschrift: Physical review applied
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Seitenzahl oder Artikelnummer: 064023
Verlag: American Physical Society
Verlagsort: College Park, Md. u.a.
Erscheinungsdatum: 2021
ISSN: 2331-7019
URL der Originalveröffentlichung: https://doi.org/10.1103/PhysRevApplied.16.064023
DOI der Originalveröffentlichung: 10.1103/PhysRevApplied.16.064023
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